型半导体器件图示测试系统

ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE 系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究.

通过USB或者RS232与电脑连接，通过友好的人机界面操作，即可完成测试。并实现结果以EXCEL和WORD的格式保存。提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。

系统特征：

● IV曲线显示/局部放大                           

● 程序保护zui大电流/电压,以防损坏         

● 品种繁多的曲线

● 可编程的数据点对应                    

● 增加线性或对数

● 可编程延迟时间可减少器件发热           

● 保存和重新导入入口程序

● 保存和导入之前捕获图象                 

● 曲线数据直接导入到EXCEL

● 曲线程序和数据自动存入EXCEL            

● 测试范围广（19大类、27分类）

曲线测试：

ID vs. VDS at range of VGS             

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD                             

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS             

IDSS vs. VDS  /  HFE vs. IC                            

BVCE（O,S,R,V） vs. IC

BVEBO vs. IE                          

BVCBO vs. IC

VCE（SAT） vs. IC             

VBE（SAT） vs. IC

VBE（ON） vs. IC （use VBE test）      

VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF

测试参数：

漏电参数：IR、  ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO

增益参数：hFE、CTR、gFS

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH+、IH-

锁定参数：IL、IL+、IL-

混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

间接参数：IL

应用领域 

技术指标